Вихідний напівпровідниковий матеріал, на основі якого виготовлений цей транзистор: кремній (Si). Структура напівпровідникового переходу: pnp.
Характеристики:
- Тип матеріалу: Si
- Полярність: PNP
- Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 40 Вт
- Макcимально допустима напруга колектор-база (Ucb): 80 В
- Макcимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 40 В
- Макcимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 В
- Макcимально постійний струм колектора (Ic): 3 A
- Гранична температура PN-переходу (Tj): 150 °C
- Гранична частота коефіцієнта передачі струму (ft): 3 МГц
- Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 20
- Корпус транзистора: TO220
| Характеристики | |
| Підсилення (Hfe) | 20 |
| Метод встановлення | dip |
| Напруга колектор-емітер | 40 В |
| Струм | 3 A |
| Тип | PNP |
| Тип корпуса | TO220 |
| Виробник | TIP32 |
Написати відгук
Ваше Ім’я:*Ваш відгук*: Примітка:HTML теги не дозволені! Використовуйте звичайний текст.
Рейтинг (необов'язково) Погано Добре
Введіть код, вказаний на зображенні:*
Рекомендуємо (8)
1.00 грн.
1.00 грн.
1.00 грн.
4.00 грн.
9.00 грн.
5.00 грн.
5.00 грн.
1.00 грн.
